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本發明公開了一種氧化金礦大規模堆浸生產過程的堿度控制工藝,包含兩個熟石灰添加步驟,均勻添加在礦石堆面,利用噴淋水溶解熟石灰,堿液均勻滲入礦堆內部;二次添加。

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本發明公開一種使用互補金屬氧化物半導體(CMOS)工藝制造雙極性晶體管的方法,與寄生BJT相比,該方法通過使用一般P型晶片作為基底來額外執行一CMOS邏輯工藝及一Nbase(N。

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2010年8月27日-常規堿蝕脫除去陽極氧化膜層工藝,時間長,溫度高,堿霧逸出污染嚴重。新工藝環保型脫膜工藝(K-302酸性脫膜劑),在常溫中處理,無任何污染產生。

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2010年9月19日-使其中的低價態的釩氧化并轉化為五價的釩酸鈉,技術已經成熟,加工工藝很多,有很多工藝已經申報提供提釩技術,工藝,轉化一種。

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