電子封裝用AlN燒結工藝及機理-《南昌大學》2011年碩士論文
氮化鋁陶瓷常壓燒結致密化抗水性自擴散系數小,通常需要熱壓燒結才能制備出高致密的氮化鋁陶瓷2.2實驗儀器設備和原料31-322.3實驗方法32-332.3。
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氮化鋁陶瓷導熱性能良好,是集成電路基板和電子封裝的理想材料。但氮化鋁為強共價鍵結合物,熔點高,自擴散系數小,通常需要熱壓燒結才能制備出高致密的氮化鋁陶瓷。并且。
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氮化鋁(AlN)燒結爐溫度均勻性批量生產《電子工業專用設備》2010年06期加入收藏投稿氮化鋁尤其是在氮化鋁陶瓷批量生產過程中,陶瓷燒結爐的溫度不均勻。
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但近幾年國際上很多國家在重視AlN基片材料研發工作的同時,對氮化鋁陶瓷燒結爐的制備也越來越重視,由此孕育出一些專業的氮化鋁陶瓷燒結設備制造商,尤其是美國和日本。
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本文通過使用Y2O3、Li2CO3、Dy2O3、CaF2、CaO作為添加劑,研究不同添加劑對注射成型低溫燒結AlN提高致密度和熱導率的作用。實驗結果表明,使用Li2CO3,CaF2和Y2O3。
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采用微波高溫燒結工藝,制備了致密的AlN陶瓷,并初步探討了微波燒成環境對燒結體燒結陶瓷加工陶瓷相陶瓷量塊陶瓷英語陶瓷機械陶瓷件陶瓷帽陶瓷設備。
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氮化鋁燒結級AlN-010-A1S產品AlN-010-A1S氮化鋁粉體經過成型燒結程序制成:用於射頻IC、高功率IC、LED晶片載板,高導熱電子基板,LED路燈熱電燈板,高導熱共燒陶瓷。
AlN陶瓷-學術百科-知網空間
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微波燒結設備主要應用于燒結各種高品質的陶瓷、氮化硅、碳化硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鋯等;燒結電子陶瓷器件:PZT壓電陶瓷、壓敏電阻等。所謂微波燒結或微波燃燒合成。
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供應:燒結氮化鋁(工藝技術資料配方圖紙參數)光盤當前價格:200.00元1-BG52096含碳的氮化鋁燒結體以及用于半導體制造檢測設備的陶瓷基材2-BG。
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一種氮化鋁陶瓷的低溫燒結,包括氮化鋁起始粉料選擇,添加物的選擇以及燒結工藝參數的選擇。其特征在于:(1)以碳熱還原法及高溫自蔓延合成法制備的AlN粉體為起始。
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本發明目的是提供一種能保持10#+〔8〕Ω.cm或更大的體積電阻率的氮化鋁燒結體,能保證覆蓋能力,大的輻射熱量和用溫度顯示器測定時的準確度。本發明的含碳氮化。
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一種氮化鋁燒結體,其特征在于包含1-10%(重量)從周期表Ⅲa族元素、Ca、Sr、Ba中選擇的少。
氮化鋁陶瓷的低溫燒結
華順系列陶瓷覆銅板(氮化鋁、氧化鋁、氮化硅)燒結爐廣泛應用於陶瓷覆銅板(DBC0在保護氣氛中的鍵合、熱處理等工序。設備針對陶瓷復合的特殊工藝特點設計了專有的。
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氮化鋁燒結體及其制造方法-96190015-錢眼
[圖文]3.2.5高壓設備的高精度控制系統3.2.6腔體介質材料的選擇3.2.7加熱源石墨3.3高壓燒結腔體設計3.4高壓燒結AlN陶瓷制備工藝流程3.4.1高壓燒結AlN。
氮化鋁陶瓷覆銅板設備及工藝提供工業電爐-中國供應商
論文天下提供的<AlN粉末的制備、低溫燒結及其注射成形技術的研究;論文包括氮化鋁陶瓷材料注射成形低溫燒結復合陶瓷制備低溫燒結注射等其他相關內容論文。
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本發明提供一種高純度氮化鋁燒結體,其在氮化鋁燒結體制造時,有效地除去原料粉末中所含的氧化物,且通過原料粉末中所含的氧化物與燒結助劑反應來防止生成的復合氧化。
氮化鋁陶瓷燒結質量管理(2書+2光盤)-圖書價格:290-理科工程技術
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氮化鋁陶瓷:亞馬遜:圖書
熱壓燒結AlN陶瓷,以自蔓延高溫合成(SHS)的AlN粉體為原料,以Y2O3-B2O3-CaF2和YF3-B-CaF2系為燒結助劑,采用熱壓燒結工藝制備AlN陶瓷。結果表明,采用燒結助劑,在。
AlN粉末的制備低溫燒結及其注射成形技術的研究-收費碩士博士
本論文探索了AlN陶瓷的燒結技術,利用本實驗室原位合成技術合成的AlN粉末制備出了高致密,高導熱的AlN陶瓷。研究了AlN陶瓷的常壓燒結技術。通過熱力學條件和相圖的。
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41、含碳的氮化鋁燒結體以及用于半導體制造檢測設備的陶瓷基材收錄氮化鋁陶瓷相關期刊文獻151項1、海門建成氮化硅陶瓷基地2、高壓氮氣中自蔓延燃燒合成氮化鋁。
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抗折強度高,可以常壓在1600°C燒結,是一種高功率集成電路基片的未來使用材料晉盈科技發展有限公司樂意提供氮化鋁AlN整線設備,研發生產光傳輸特性優良的基片。
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32CN00809591.4半導體加工設備的防腐組件及其制造方法33CN02106821.6用于半導體和功率模件的絕緣襯底板34CN02115663.8放電等離子燒結法制備氮化鋁透明陶瓷35。